在掃描電鏡（SEM）中，“暗場成像”指通過只接收特定角度或特定衍射條件下的電子信號來形成圖像的方法。與明場成像相比，暗場圖像通常背景較暗，而滿足特定散射條件的區(qū)域變亮。

一、背散射暗場成像

這是 SEM 中常見的暗場方式。

原理：

背散射電子會向不同角度散射。暗場探測方式只收集高角度散射的電子，而低角度信號被排除。

特點(diǎn)：

高原子序數(shù)區(qū)域更亮。

對成分變化和晶體取向非常敏感。

背景較暗，對比度更高。

常見用途：

區(qū)分合金相。

查看成分變化。

觀察晶粒取向差異。

二、衍射暗場成像

部分 SEM（帶 STEM 或 EBSD 功能）可以使用衍射暗場。

原理：

選擇晶體某一個衍射斑點(diǎn)對應(yīng)的電子，只有滿足該衍射條件的區(qū)域會變亮。

用途：

觀察晶界結(jié)構(gòu)。

識別孿晶或相變區(qū)域。

分析晶體取向分布。

說明：

這種方式更接近透射電鏡的暗場成像方法，不是所有 SEM 都具備。

暗場成像的優(yōu)點(diǎn)

能強(qiáng)化成分或結(jié)構(gòu)差異。

背景更暗，信號更突出。

對晶體取向特別敏感。

暗場成像適合的情況

樣品成分差異不明顯，需要提高對比度。

想突出局部晶體取向或相結(jié)構(gòu)。

在復(fù)合材料、金屬、陶瓷分析中需要增強(qiáng)對比度。